Advanced Materials Science for Semiconductor Scaling

Leah quiere saber por qué el óxido de puerta dejó de adelgazarse. El dióxido de silicio fugaba cuando tenía solo unos pocos átomos. Un óxido con hafnio tiene una constante dieléctrica más alta, así que una película más gruesa aún puede acoplar la puerta al canal. Una puerta de metal sustituyó al polisilicio, porque el óxido nuevo no se llevaba bien con él. Intel metió esa pareja en lógica de alto volumen a 45 nm, la describió como la primera vez en un proceso así, y formó la película por deposición de capas atómicas. Un FinFET envuelve la puerta por tres lados de una aleta. Un nanosheet rodea el canal por todos los lados.