Advanced Materials Science for Semiconductor Scaling

Читати вголос

5 безкоштовних перекладів слів

Натисніть на будь-яке слово, щоб побачити переклад

. : , . , .
. . , . , - , . , . , . - 45 , - . - : , . . .
. , . , . , : . . , .
. . - , , .

Читайте далі з перекладом

Створіть безкоштовний акаунт: 7 днів Pro, далі 20 перекладів слів на день або платний тариф.

Створити безкоштовний акаунт Я вже маю акаунт

Про статтю

Рівень C2 Фокус читання

Що вивчите

Механізм в англійській C2: межа, матеріал, який на неї відповів, і форма транзистора, яка мала змінитися далі.

Лія хоче знати, чому оксид під затвором перестали робити дедалі тоншим. Діоксид кремнію протікав, коли лишалося лише кілька атомів. Оксид на основі гафнію має вищу діелектричну проникність, тож товстіша плівка все ще зв'язує затвор із каналом. Металевий затвор замінив полікремній, бо новий оксид із ним не ладнав. Intel увів цю пару в масове виробництво логіки на 45 нм, описав це як перший такий процес і нарощував плівку осадженням атомарними шарами. FinFET охоплює затвор із трьох боків ребра. Нанолист оточує канал з усіх боків.

Прочитайте книгу англійською

Усі книги рівня C2

Коментарі

Увійдіть, щоб залишити коментар

Увійти

Поки що немає коментарів. Будьте першим!